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GIS局部放電主要由下列缺陷引發(fā)
GIS局部放電主要由下列缺陷引發(fā)：
*載流導(dǎo)體表面缺陷：如毛刺，尖角，等引起導(dǎo)體表面電廠強(qiáng)度不均勻，這種缺陷通常在制造或安裝時(shí)造成的，在穩(wěn)定的工頻電壓下不易引起擊穿，但在操作或沖擊電壓下很可能引起擊穿。
*絕緣子表面缺陷：如制造質(zhì)量**，絕緣子有氣泡或裂紋，安裝**下的污跡，塵埃等。
*GIS筒內(nèi)在制造和安裝過程中存在的自由導(dǎo)電微粒。
*導(dǎo)體部分接觸**。
AIAcompact主要特點(diǎn)：
1． 可連接聲波傳感器
2． 可連接特高頻（UHF）傳感器（300MHz-2GHz）
3． 儀器自動(dòng)識(shí)別傳感器類型
4． 內(nèi)置可充電電池，攜帶方便，測(cè)量快速
5． 紅外同步裝置
6． RS232接口，連接電腦可進(jìn)行深入技術(shù)分析
7． 高靈敏度：1mv或1pc
8． LCD顯示屏
9． 三種顯示模式

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