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GIS局部放電主要由下列缺陷引發(fā)

GIS局部放電主要由下列缺陷引發(fā):
*載流導(dǎo)體表面缺陷:如毛刺,尖角,等引起導(dǎo)體表面電廠強(qiáng)度不均勻,這種缺陷通常在制造或安裝時(shí)造成的,在穩(wěn)定的工頻電壓下不易引起擊穿,但在操作或沖擊電壓下很可能引起擊穿。
*
絕緣子表面缺陷:如制造質(zhì)量**,絕緣子有氣泡或裂紋,安裝**下的污跡,塵埃等。
*GIS
筒內(nèi)在制造和安裝過程中存在的自由導(dǎo)電微粒。
*
導(dǎo)體部分接觸**。
AIAcompact主要特點(diǎn):
1
可連接聲波傳感器
2
可連接特高頻(UHF)傳感器(300MHz-2GHz
3
儀器自動(dòng)識(shí)別傳感器類型
4
內(nèi)置可充電電池,攜帶方便,測(cè)量快速
5
紅外同步裝置
6
RS232接口,連接電腦可進(jìn)行深入技術(shù)分析
7
高靈敏度:1mv1pc
8
LCD顯示屏
9
三種顯示模式

滬公網(wǎng)安備 31010602002582號(hào)

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